分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4493DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4493DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4493DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC 0 2,500:$1.10700
SI4401DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 0 2,500:$1.09755
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 3,000:$1.09350
6,000:$1.05300
15,000:$1.01250
30,000:$0.99225
75,000:$0.97200
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK 0 3,000:$1.09350
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 0 800:$1.09305
SI4493DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.75 毫歐 @ 14A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)