| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | 0 | 3,000:$0.87750 6,000:$0.84500 15,000:$0.81250 30,000:$0.79625 75,000:$0.78000 |
| SI4423DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.90585 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.7 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4390pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |