元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
---|---|---|---|---|
BUZ30A H3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | 1,000 | 1,000:$1.10403 2,000:$1.02789 5,000:$0.98982 10,000:$0.95175 25,000:$0.93272 50,000:$0.91368 |
BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | 5,000 | 5,000:$1.13997 10,000:$1.09613 25,000:$1.07420 50,000:$1.05228 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
---|---|
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 130 毫歐 @ 13.5A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | - |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
功率 - 最大: | 125W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-3 |
包裝: | 帶卷 (TR) |