參數(shù)資料
型號： E5551A-S8
廠商： ATMEL CORP
元件分類： 通信及網(wǎng)絡(luò)
英文描述： SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO8
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 376/1069頁
文件大小： 14303K
代理商： E5551A-S8
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376
SAM4CP [DATASHEET]
43051E–ATPL–08/14
23.3.5.2 Flash Write Command
This command is used to write the Flash contents.
The Flash memory plane is organized into several pages. Data to be written are stored in a load buffer that corresponds
to a Flash memory page. The load buffer is automatically flushed to the Flash:
before access to any page other than the current one
when a new command is validated (MODE = CMDE)
The Write Page command (WP) is optimized for consecutive writes. Write handshaking can be chained; an internal
address buffer is automatically increased.
The Flash
command Write Page and Lock (WPL) is equivalent to the Flash Write Command. However, the lock bit is
automatically set at the end of the Flash write operation. As a lock region is composed of several pages, the programmer
writes to the first pages of the lock region using Flash write commands and writes to the last page of the lock region using
a Flash write and lock command.
The Flash command Erase Page and Write (EWP) is equivalent to the Flash Write Command. However, before
programming the load buffer, the page is erased.
The Flash command Erase Page and Write the Lock (EWPL) combines EWP and WPL commands.
23.3.5.3 Flash Full Erase Command
This command is used to erase the Flash memory planes.
All lock regions must be unlocked before the Full Erase command by using the CLB command. Otherwise, the erase
command is aborted and no page is erased.
23.3.5.4 Flash Lock Commands
Lock bits can be set using WPL or EWPL commands. They can also be set by using the
Set Lock
command
(SLB)
. With
this command, several lock bits can be activated. A Bit Mask is provided as argument to the command. When bit 0 of the
bit mask is set, then the first lock bit is activated.
Table 23-7.
Write Command
Step
Handshake Sequence
MODE[3:0]
DATA[15:0]
1
Write handshaking
CMDE
WP or WPL or EWP or EWPL
2
Write handshaking
ADDR0
Memory Address LSB
3
Write handshaking
ADDR1
Memory Address
4
Write handshaking
DATA
*Memory Address++
5
Write handshaking
DATA
*Memory Address++
...
...
...
...
n
Write handshaking
ADDR0
Memory Address LSB
n+1
Write handshaking
ADDR1
Memory Address
n+2
Write handshaking
DATA
*Memory Address++
n+3
Write handshaking
DATA
*Memory Address++
...
...
...
...
Table 23-8.
Full Erase Command
Step
Handshake Sequence
MODE[3:0]
DATA[15:0]
1
Write handshaking
CMDE
EA
2
Write handshaking
DATA
0
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PDF描述
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