參數(shù)資料
型號(hào)： EDE1104ABSE
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 1G bits DDR2 SDRAM
中文描述： 1克位DDR2 SDRAM內(nèi)存
文件頁數(shù)： 56/82頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： EDE1104ABSE
EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
56
Posted
READ
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
AL = 2
CL = 3
RL = 5
out0
out1
out2
out3
≤
tDQSCK
Burst Read Operation (RL = 5, BL = 4 (AL = 2, CL = 3))
Posted
READ
NOP
CK
/CK
T0
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
Posted
WRIT
RL = 5
out0
out1
out2
out3
in0
in2
NOP
in3
in1
tRTW (Read to Write = 4 clocks)
WL = RL - 1 = 4
Burst Read Followed by Burst Write (RL = 5, WL = RL-1 = 4, BL = 4)
The minimum time from the burst read command to the burst write command is defined by a read-to-write-turn-
around-time, which is 4 clocks in the case of BL = 4 operation, 6 clocks in case of BL =8 operation.
Posted
READ
NOP
CK
/CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DQS, /DQS
DQ
Posted
READ
NOP
out
A0
AL = 2
A
B
CL = 3
RL = 5
out
A1
out
A2
out
A3
out
B0
out
B1
out
B2
Seamless Burst Read Operation (RL = 5, AL = 2, and CL = 3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDE1104ABSE-4A-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-5C-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-6C-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-6E-E 1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-8E-E 1G bits DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDE1104ABSE-4A-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-5C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-6C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-6E-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
EDE1104ABSE-8E-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM
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