- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384279 > EDE1108ABSE-4A-E (ELPIDA MEMORY INC) 1G bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE1108ABSE-4A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 16/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | EDE1108ABSE-4A-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當(dāng)前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁
EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
16
AC Characteristics (TC = 0
°
C to +85
°
C, VDD, VDDQ = 1.8V
±
0.1V, VSS, VSSQ = 0V) [DDR2-533, 400]
-5C
-4A
Frequency (Mbps)
533
400
Parameter
Symbol
min.
max.
min.
max.
Unit
Notes
/CAS latency
CL
4
5
3
5
tCK
Active to read or write command delay
tRCD
15
15
ns
Precharge command period
tRP
15
15
ns
Active to active/auto-refresh command time tRC
60
55
ns
DQ output access time from CK, /CK
tAC
500
+500
600
+600
ps
DQS output access time from CK, /CK
tDQSCK
450
+450
500
+500
ps
CK high-level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK low-level width
tCL
0.45
Min.
(tCL, tCH)
3750
0.55
0.45
Min.
(tCL, tCH)
5000
0.55
tCK
CK half period
tHP
ps
Clock cycle time
DQ and DM input hold time
(differential strobe)
DQ and DM input hold time
(single-ended strobe)
DQ and DM input setup time
(differential strobe)
DQ and DM input setup time
(single-ended strobe)
Control and Address input pulse width for
each input
DQ and DM input pulse width for each input tDIPW
tCK
8000
8000
ps
tDH (base) 225
275
ps
5
tDH1
(base)
–25
+25
ps
tDS (base) 100
150
ps
4
tDS1
(base)
–25
+25
ps
tIPW
0.6
0.6
tCK
0.35
0.35
tCK
Data-out high-impedance time from CK,/CK tHZ
tAC max.
tAC max.
ps
Data-out low-impedance time from CK,/CK
DQS-DQ skew for DQS and associated DQ
signals
DQ hold skew factor
tLZ
tAC min.
tAC max.
tAC min.
tAC max.
ps
tDQSQ
300
350
ps
tQHS
400
450
ps
DQ/DQS output hold time from DQS
DQS latching rising transitions to associated
clock edges
DQS input high pulse width
tQH
tHP – tQHS
tHP – tQHS
ps
tDQSS
0.25
+
0.25
0.25
+
0.25
tCK
tDQSH
0.35
0.35
tCK
DQS input low pulse width
tDQSL
0.35
0.35
tCK
DQS falling edge to CK setup time
tDSS
0.2
0.2
tCK
DQS falling edge hold time from CK
tDSH
0.2
0.2
tCK
Mode register set command cycle time
tMRD
2
2
tCK
Write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Write preamble
tWPRE
0.35
0.35
tCK
Address and control input hold time
tIH (base) 375
475
ps
5
Address and control input setup time
tIS (base) 250
350
ps
4
Read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
Read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Active to precharge command
tRAS
45
70000
40
70000
ns
Active to auto-precharge delay
tRAP
tRCD min.
tRCD min.
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE1108ABSE-5C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-8E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ABSE | 1G bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE1108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ACBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。