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參數(shù)資料
| 型號： | EDE1108ABSE-4A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 34/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | EDE1108ABSE-4A-E |
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EDE1104ABSE, EDE1108ABSE, EDE1116ABSE
Data Sheet E0852E50 (Ver. 5.0)
34
Function Truth Table
The following tables show the operations that are performed when each command is issued in each state of the
DDR SDRAM.
Current state
/CS
/RAS /CAS /WE
Address
Command
Operation
Notes
Idle
H
×
×
×
×
DESL
Nop
L
H
H
H
×
NOP
Nop
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
ILLEGAL
1
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Row activating
L
L
H
L
BA
PRE
Nop
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
Nop
L
L
L
H
×
REF
Auto-refresh
2
L
L
L
H
×
SELF
Self-refresh
2
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
Mode register accessing
2
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
Extended mode register accessing 2
Bank(s) active
H
×
×
×
×
DESL
Nop
L
H
H
H
×
NOP
Nop
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
Begin Read
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
Begin Write
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
Precharge
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
Precharge all banks
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Continue burst to end -> Row
active
Continue burst to end -> Row
active
Burst interrupt
Read
H
×
×
×
×
DESL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1, 4
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE
MRS
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, EMRS-OPCODE
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE1108ABSE-5C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6C-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-8E-E | 1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1116ABSE | 1G bits DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE1108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ABSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
| EDE1108ACBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1G bits DDR2 SDRAM |
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