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參數(shù)資料
| 型號： | EDE2104ABSE-8G-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512M X 4 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 28/81頁 |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | EDE2104ABSE-8G-E |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
28
VDD
tDS
tIS
tDH
tIH
tDS
tIS
tDH
tIH
tDS1
tDH1
tDS1
tDH1
VREF (DC)
VDDQ
VIH (AC) min.
VIH (DC) min.
VREF (DC)
VIL (DC) max.
VIL (AC) max.
VSS
DQS
Single-ended DQS
Differential DQS, /DQS
CK, /CK
DQS
CK
/DQS
/CK
VIH (AC) min.
VIH (DC) min.
VIL (DC) max.
VIL (AC) max.
VSS
VREF to AC
region
VREF to AC
region
DC to VREF
region
DC to VREF
region
nominal
line
nominal
line
nominal
line
nominal
line
tangent
line
tangent
line
Δ
TFS
Δ
TRH
Δ
TFH
Δ
TRS
tangent line [VREF (DC)
-
VIL (AC)
max.]
Δ
TFS
tangent line [VREF (DC)
-
VIL (DC)
max.]
Δ
TRH
Setup slew rate
Falling signal
Hold slew rate
Rising signal
=
=
tangent line [VIH (AC) min.
-
VREF (DC)]
Δ
TRS
tangent line [VIH (DC) min.
-
VREF (DC)]
Δ
TFH
Setup slew rate
Rising signal
Hold slew rate
Falling signal
=
=
Slew Rate Definition Tangent
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
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