- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384279 > EDE2104ABSE-8G-E (ELPIDA MEMORY INC) 2G bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE2104ABSE-8G-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512M X 4 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/81頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2104ABSE-8G-E |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)當(dāng)前第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)
EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
35
Current state
/CS
/RAS /CAS /WE
Address
Command
Operation
Note
Write
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
-> Write recovering
Continue burst to end
-> Write recovering
ILLEGAL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
Burst interrupt
1, 4
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE MRS
BA, EMRS-
OPCODE
ILLEGAL
L
L
L
L
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Read with auto
precharge
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end ->
Precharging
Continue burst to end ->
Precharging
ILLEGAL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1, 7
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 7, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
7, 8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE MRS
BA, EMRS-
OPCODE
ILLEGAL
L
L
L
L
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
Write with auto
Precharge
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
->Write recovering with auto
precharge
Continue burst to end
->Write recovering with auto
precharge
ILLEGAL
L
H
H
H
×
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 (AP)
READ/READA
1, 7
L
H
L
L
BA, CA, A10 (AP)
WRIT/WRITA
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
1, 7
L
L
H
L
BA
PRE
ILLEGAL
1, 7, 8
L
L
H
L
A10 (AP)
PALL
ILLEGAL
7, 8
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
H
×
SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
BA, MRS-OPCODE MRS
BA, EMRS-
OPCODE
ILLEGAL
L
L
L
L
EMRS (1) (2)
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。