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參數(shù)資料
| 型號： | EDE2108ABSE-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2G bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 73/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE2108ABSE-6E-E |
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EDE2104ABSE, EDE2108ABSE
Preliminary Data Sheet E1196E10 (Ver. 1.0)
73
Read with Auto Precharge to Power-Down Entry
CK
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
and tRAS min. satisfied
/CK
Start internal precharge
AL + CL
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
CKE should be kept high
until the end of burst operation.
AL + CL
BL=4
BL=8
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
READA
PRE
READA
out
0
out
1
out
2
out
3
out
0
out
1
out
2
out
3
out
4
out
5
out
6
out
7
AL + BL/2
with tRTP = 7.5ns
and tRAS min. satisfied
PRE
T0
Tx
Tx+2
Tx+3
Tx+4
Tx+5
Tx+6
T1
T2
Tx+1
Tx+7
Tx+8
Tx+9
Write to Power-Down Entry
CK
Command
CKE
DQS
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
/CK
WL
BL=4
BL=8
/DQS
tWTR
WL
tWTR
DQ
in
0
in
1
in
2
in
3
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
WRIT
WRIT
in
0
in
1
in
2
in
3
in
4
in
5
in
6
in
7
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-8G-E | 2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE-5C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2516ABSE-5C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
| EDE2508ABSE-6C-E | 256M bits DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE2108ABSE-8G-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2108AEBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
| EDE2108AEBG-8E-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free |
| EDE2116ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
| EDE2116ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:2G bits DDR2 SDRAM |
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