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參數(shù)資料
| 型號： | EDE2508ABSE-6C-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 11/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 708K |
| 代理商： | EDE2508ABSE-6C-E |
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EDE2508ABSE, EDE2516ABSE
Preliminary Data Sheet E0573E30 (Ver. 3.0)
11
Pin Capacitance (TA = 25
°
C, VDD, VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
Parameter
Symbol Pins
min.
max.
Unit
Notes
CLK input pin capacitance
CCK
CK, /CK
/RAS, /CAS,
/WE, /CS,
CKE, ODT,
Address
DQ, DQS, /DQS,
UDQS, /UDQS,
LDQS, /LDQS,
RDQS, /RDQS,
DM, UDM, LDM
1.0
2.0
pF
1
Input pin capacitance
CIN
1.0
2.0
pF
1
Input/output pin capacitance
-6C, -6E
2.5
3.5
pF
2
-5C
CI/O
2.5
4.0
pF
2
Notes: 1. Matching within 0.25pF.
2. Matching within 0.50pF.
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