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參數(shù)資料
| 型號： | EN29LV800AB-70TCP |
| 廠商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 8兆位（1024K × 8位/為512k × 16位）閃存引導扇區(qū)閃存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件頁數(shù)： | 29/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 370K |
| 代理商： | EN29LV800AB-70TCP |
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Table 10. AC CHARACTERISTICS
Write (Erase/Program) Operations
Alternate CE#
Controlled Writes
Parameter
Symbols
JEDEC
Standard
Description
This Data Sheet may be revised by subsequent versions 2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
Rev. C, Issue Date: 2005/01/10
EN29LV800A
Speed Options
-55R
-70
-90
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
55
70
90
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
0
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
0
0
ns
Read
Toggle
Data# Polling
Min
0
0
0
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time
and
Min
10
10
10
ns
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
WH
t
ELEH
t
EHEL
t
GHEL
t
WS
Read Recovery Time before
Write (OE# High to CE# Low)
Min
0
0
0
ns
WE# SetupTime
Min
0
0
0
ns
WE# Hold Time
Min
0
0
0
ns
t
CP
t
CPH
Write Pulse Width
Min
30
35
45
ns
Write Pulse Width High
Min
20
20
20
ns
Typ
8
8
8
μs
t
WHWH
1
t
WHWH
2
t
WHWH1
Programming Operation
(byte AND word mode)
Max
200
200
200
μs
t
WHWH2
Sector Erase Operation
Typ
0.5
0.5
0.5
s
t
VCS
Vcc Setup Time
Min
50
50
50
μs
t
VIDR
Rise Time to V
ID
Min
500
500
500
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EN29LV800AB-70TI | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-70TIP | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-90BC | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-90BI | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| EN29LV800AB-90BIP | 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| EN29SL400B-90BIP | 制造商:EON SILICON SOLUTION INC 功能描述:EN29SL400 Series, 4 Mbit 90 NS 48 FBGA 1.8 V Bottom Boot Sector NOR Flash |
| EN2-B1H1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUTOMOTIVE RELAYS (Twin, Single) Relays |
| EN2-B1H1S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUTOMOTIVE RELAYS (Twin, Single) Relays |
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