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參數(shù)資料
| 型號： | F1022 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | CONN,MINI EDGE-CARD SOCKET |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | F1022 |
F1022 POUT vs PIN FREQ 400 Mhz; Idq=1.2A Vds = 28v
Pin in Watts
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
10
15
20
25
30
Pout
6
7
8
9
10
11
12
13
Gain
POUT
GAIN
Efficiency = 50%
POUT VS PIN GRAPH
F1022
F1B 3DIE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 3DIE IV CURVE
Vds in Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 3 DIE GM & ID vs VG
Vgs in Volts
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1027 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1034 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1040 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1058 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1060 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F-1022 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:10" Box Fan - 2-Speed 制造商:MCM 功能描述:10 INCH BOX FAN 2 SPEED ENERGY SAVING 制造商:PREMIER FARNELL 功能描述:10 INCH BOX FAN 2 SPEED ENERGY SAVING |
| F10221-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:Data Bus Components 制造商:TE Connectivity 功能描述:D-500-L456-4-613-240 - Bulk |
| F102289N | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| F102370 | 制造商:NMC 功能描述: 制造商:NMC-WOLLARD INC 功能描述: |
| F102450LC3B | 制造商:IVO 制造商全稱:Baumer IVO GmbH & Co. KG 功能描述:Totalizers electromechanic |
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