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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F1034 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專(zhuān)利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | F1034 |
POUT VS PIN GRAPH
F1034
F2A 1 DIE CAPACITANCE VS VDS
VDS IN VOLTS
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F2A 1 DIE IV CURVE
VDS IN VOLTS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
VGS 12V
F2A 1 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| F10-3600-C2-B | 制造商:Triad Magnetics 功能描述:XFRMR LAMINATED 36VA THRU HOLE |
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