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參數資料
| 型號： | FDA50N50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 48 A, 500 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | FDA50N50 |
3
www.fairchildsemi.com
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
!
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
o
C
!
150
o
C
!
25
o
C
!
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
o
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
40
80
120
160
25
o
C
150
o
C
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
2,000
4,000
6,000
8,000
10,000
12,000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
V
DS
= 100V
Note : I
D
= 48A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH50N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA59N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDA59N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDA62N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDA69N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDA50N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA50N50_NWUA002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDA59N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA59N30 | 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA620005 | 功能描述:OSC 106.25MHZ 2.5V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標準包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR |
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