參數(shù)資料
型號： FDA50N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 48 A, 500 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PN, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 222K
代理商： FDA50N50
6
www.fairchildsemi.com
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. A
F
Mechanical Dimensions
TO-247AD (FKS PKG CODE 001)
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDH50N50 500V N-Channel MOSFET
FDA59N25 250V N-Channel MOSFET
FDA59N30 300V N-Channel MOSFET
FDA62N28 280V N-Channel MOSFET
FDA69N25 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDA50N50_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
FDA50N50_NWUA002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDA59N25 功能描述:MOSFET 250V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA59N30 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDA620005 功能描述:OSC 106.25MHZ 2.5V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR
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