參數(shù)資料
型號： FDFMA2P857
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3.0A, 120mohm
中文描述： 3 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, MICROFET-8
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： FDFMA2P857
F
FDFMA2P857 Rev.B
www.fairchildsemi.com
5
Figure 7. G
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
-15V
-10V
-
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DS
=
-5V
I
D
= -3A
ate Charge Characteristics
Figure 8.
0
4
8
12
16
20
0
100
200
300
400
500
600
700
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance Characteristics
Figure 9.
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
100
100us
1ms
100ms
R
DS(ON)
LIMITED
1s
DC
10s
10ms
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA = 173
o
C/W
T
A
= 25
o
C
I
D
,
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 10.
10
-4
10
-3
10
t, PULSE WIDTH (s)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.1
1
10
100
R
θ
JA = 173
o
C/W
200
SINGLE PULSE
P
(
P
)
,
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 11.
0
100
200
300
400
500
600
0.001
0.01
0.1
1
3
85
o
C
25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
F
F
V
F,
FORWARD VOLTAGE(mV)
Schottky Diode Forward Current
Figure 12.
0
5
10
15
20
25
30
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
J
= 85
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
R
,
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Schottky Diode Reverse Current
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
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