參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6320C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 15uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 3.8x6.5 mm; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： FDG6320C
FDG6320C.Rev D
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 14. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -0.14A
0
1
2
3
4
0
0.05
0.1
0.15
0.2
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -4.5V
-2.7V
-3.0V
-3.5V
-2.0V
-2.5V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.5
1
1.5
2
2.5
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0V
R
D
-4.5V
-4.0V
-3.0V
-2.7V
-3.5V
-2.5V
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -0.07A
T = 125°C
T = 25°C
0
1
2
3
4
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5.0V
T = -55°C
125°C
25°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.3
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
T = 125°C
25°C
-55°C
V = 0V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDG6321C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
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