參數(shù)資料
型號(hào)： FDG8842CZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Complementary PowerTrench㈢ MOSFET
中文描述： 750 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 458K
代理商： FDG8842CZ
F
M
www.fairchildsemi.com
4
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG8842CZ Rev.B
Typical Characteristics (Q1 N-Channel)
T
J
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1.
0.0
0.5
V
DS
,
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1.0
1.5
2.0
0.00
0.44
0.88
1.32
1.76
2.20
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 2.0V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V
GS
=
2.7V
V
GS
=1.8V
V
GS
=
4.5V
I
D
,
D
On-Region Characteristics
Figure 2.
vs Drain Current and Gate Voltage
0.00
0.44
0.88
1.32
1.76
2.20
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
V
GS
= 4.5V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
N
D
I
D
,
DRAIN CURRENT(A)
V
GS
=
2.7V
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 1.8V
V
GS
=
3.5V
Normalized On-Resistance
Figure 3. Normalized On - Resistance
vs Junction Temperature
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
= 0.75A
V
GS
= 4.5V
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
Figure 4.
1
2
3
4
5
0.2
0.4
0.6
0.8
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
I
D
=0.38A
r
D
,
S
(
Ω
)
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
Figure 5. Transfer Characteristics
0.0
0.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
0.00
0.44
0.88
1.32
1.76
2.20
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
I
D
,
VDD = 5V
Figure 6.
Forward Voltage vs Source Current
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
0.01
0.1
1
2
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
V
GS
= 0V
I
S
,
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Source to Drain Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG8850NZ Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDG901D 20 AMP MINIATURE POWER RELAY
FDG901 Slew Rate Control Driver IC for P-Channel MOSFETs
FDH038AN08A1 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDH047AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDG8850NZ 功能描述:MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG901 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Slew Rate Control Driver IC for P-Channel MOSFETs
FDG901D 功能描述:開(kāi)關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 Control Driver IC P-Ch Slew Rate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出電壓:1.2 V to 10 V 輸出電流:300 mA 輸出功率: 輸入電壓:3 V to 17 V 開(kāi)關(guān)頻率:1 MHz 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WSON-8 封裝:Reel
FDG901D_Q 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 Control Driver IC P-Ch Slew Rate RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
FDG910D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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