參數(shù)資料
型號(hào): FJX3011R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Switching Application
中文描述: 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大小: 32K
代理商: FJX3011R
Package Dimensions
F
SOT-323
2.00±0.20
0.95±0.15
0.90
±0.10
0.135
1.25±0.10
2.10±0.10
0.10 Min
0.275±0.100
1.30±0.10
+0.04
–0.01
1.00±0.10
0.05–0.02
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, August 2002
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PDF描述
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參數(shù)描述
FJX3011RTF 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJX3011RTF_Q 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJX3012R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching Application
FJX3012RTF 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJX3012RTF_Q 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel