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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL120MK |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段中等 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | FLL120MK |
2
FLL120MK
L-Band Medium & High Power GaAs FET
POWER DERATING CURVE
DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
20
10
40
50
30
0
50
100
150
200
2
0
4
6
8
10
Case Temperature (
°
C)
Drain-Source Voltage (V)
T
2000
1000
4000
3000
D
VGS =0V
-0.5V
-1.5V
-2.0V
-1.0V
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
IDS
≈
0.55 IDSS
f = 2.3 GHz
20 22
24
26
28 30
32
Input Power (dBm)
40
42
38
36
34
32
30
60
40
20
0
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL200IB-1 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL200IB-2 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL200IB-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL21E004ME | High Voltage - High Power GaAs FET |
| FLL21E010MK | High Voltage - High Power GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLL1500IU-2C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLL177 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:L-BAND MEDIUM & HIGH POWER GAAS FET |
| FLL177ME | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:L-BAND MEDIUM & HIGH POWER GAAS FET |
| FLL200IB-1 | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL200IB-2 | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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