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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL21E010MK |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | High Voltage - High Power GaAs FET |
| 中文描述： | 高電壓-高功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | FLL21E010MK |
FLL21E010MK
High Voltage - High Power GaAs FET
2
Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power
@V
DS
=28V I
DS
=125mA f=2.17GHz
Two-Carrier IMD(ACLR) & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=125mA fo=2.1325GHz f1=2.1475GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=125mA f=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
Input Power [dBm]
Pout
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
D
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
24
26
28
30
32
34
36
Output Power [dBm]
IM5
I
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
D
IM3
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
24
26
28
30
32
34
36
Output Power [dBm]
+/-10MHz
A
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
D
+/-5MHz
Drain Efficiency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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