參數(shù)資料
型號： FLL21E090IK
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： High Voltage - High Power GaAs FET
中文描述： 高電壓-高功率GaAs場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 333K
代理商： FLL21E090IK
2
Output Power , Drain Efficiency vs. Input Power
@V
DS
=28V, I
DS
=700
ｍ
A, f=2.14GHz
Output Power vs. Frequency
@V
DS
=28V, I
DS
=700
ｍ
A
FLL21E090IK
High Voltage - High Power GaAs FET
Two-Carrier IMD(ACLR)& Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=700mA fo=2.1325, f1=2.1475GHz
W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation
Single-Carrier ACLR & Drain Efficiency vs. Output Power
@V
DS
=28V I
DS
=700mA fo=2.1325GHz
W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
2
2.05
2.1
2.15
2.2
2.25
2.3
Frequency [GHz]
O
Pin=20dBm
Pin=24dBm
Pin=28dBm
Pin=32dBm
Pin=36dBm
P1dB
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
Input Power [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
D
Pout
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
28 30 32 34 36 38 40 42 44
Output Power [dBm]
I
0
5
10
15
20
25
30
35
D
IM3
IM5
Drain Efficiency
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
28
30
32 34
36
38
40
42
44
Output Power [dBm]
A
0
5
10
15
20
25
30
35
D
+/-5MHz
+/-10MHz
Drain Efficiency
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PDF描述
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