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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLM1414-15F |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | X,Ku-Band Internally Matched FET |
| 中文描述： | 十，Ku波段內(nèi)部匹配場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | FLM1414-15F |
25
30
35
40
45
13.9
14.0
14.1
14.2
14.3
14.4
14.5
14.6
frequency [GHz]
O
Pin=23dBm
Pin=33dBm
Pin = 27dBm
Psat
Pin=31dBm
P1dB
-60
-58
-56
-54
-52
-50
-48
-46
-44
-42
-40
-38
-36
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
Output Power (S.C.L.) [dBm]
S.C.L :Single Carrier Level
I
IM 3
IM 5
25
30
35
40
45
20
25
30
35
40
Input Power Level [dBm]
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
E
X,Ku-Band Internally Matched FET
2
OUTPUT POWER , EFFICIENCY
vs. INPUT POWER
IMD vs OUTPUT POWER
VDS=10V, IDS=0.65IDSS
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
FLM1414-15F
0
20
40
60
80
0
50
100
150
200
Case Temperature [ C]
T
POWER DERATING CURVE
o
f1=14.50GHz, f2=14.51GHz
VDS=10V, IDS=0.65IDSS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FLM1414-3F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, Ku-Band, 6.5dB, 14.0 14.5GHz, 825mA, Bulk |
| FLM1414-4F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:Internally Matched Power GaAs FET |
| FLM1414-6F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, Ku-Band, 6.5dB, 14.0 14.5GHz, 1650mA, Bulk |
| FLM1414-8C | 制造商:FUJITSU 功能描述:MESFET Transistor, N-CHAN, SOT-469AVAR |
| FLM1414-8F | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:High Power GaAs FETs, Ku-Band, 6dB, 14.0 14.5GHz, 2200mA, Bulk |
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