參數(shù)資料
型號(hào)： FMB3906
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
中文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： FMB3906
F
Typical Characteristics
(continued)
Voltage Feedback Ratio
0.1
1
10
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
r
_4
Input Impedance
0.1
1
10
0.1
1
10
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
V = 10 V
f = 1.0 kHz
i
Output Admittance
0.1
1
10
10
100
1000
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
V = 10 V
f = 1.0 kHz
o
μ
Current Gain
0.1
1
10
10
20
50
100
200
500
1000
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
V = 10 V
f = 1.0 kHz
f
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
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參數(shù)描述
FMB3906_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3946 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB3946_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMB-39M 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Schottky Barrier Diodes 90V
FMB45DYFD 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN CARDEDGE DL 90POS .050 SMD
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