參數(shù)資料
型號： FMBA06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： FMBA06
F
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CEO
Collector-Cutoff Current
I
CBO
Collector-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 60 V, I
B
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
80
4.0
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
100
100
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.25
1.2
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Typical Characteristics
I
C
= 10 mA, V
CE
= 2.0 V,
f = 100 MHz
150
MHz
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
1000
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
β
= 10
- 40 oC
25 °C
125 °C
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
50
100
150
200
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
- 40 oC
25 °C
V = 1V
125 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBA14 NPN Multi-Chip Darlington Transistor
FMBA56 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
FMBL1G200US60 10MHz DDS Sweep Function Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:10 mSec to 30 Sec; Frequency Max:10MHz; Frequency Min:0.01Hz RoHS Compliant: NA
FMBL1G300US60 BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBA06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMBA0656 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT- 6 Surface Mount Package
FMBA14 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Multi-ChipTrans Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FMBA14_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Multi-ChipTrans Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FMBA56 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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