參數(shù)資料
型號(hào)： FMBL1G300US60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： BK Precision Sweep/Function Generators, Waveforms: Sine, Square, Triangle, +/- Pulse, +/- Ramp, Frequency Range: .2 Hz-20 MHz, Resolution: 5 Digits, Tuning Range: 10:1, Impedance: 50 Ohm, Attenuation: -20+/-1 dB
中文描述： 300 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 7PM-BB, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 693K
代理商： FMBL1G300US60
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
March 2001
FMBL1G300US60 Rev. A
IGBT
F
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CM (1)
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
stg
V
iso
Mounting
Torque
Description
FMBL1G300US60
600
±
20
300
600
300
600
10
1250
-40 to +150
-40 to +125
2500
2.0
2.5
Units
V
V
A
A
A
A
us
W
°
C
°
C
V
N.m
N.m
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Short Circuit Withstand Time
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage
Power Terminals Screw : M5
Mounting Screw : M6
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
@ T
C
= 100
°
C
@ T
C
= 25
°
C
@ AC 1minute
FMBL1G300US60
Molding Type Module
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power
modules provide low conduction and switching losses as
well as short circuit ruggedness. They are designed for
applications such as motor control
,
uninterrupted power
supplies (UPS) and general inverters where short circuit
ruggedness is a required feature.
Features
UL Certified No. E209204
Short circuit rated 10us @ T
C
= 100
°
C, V
GE
= 15V
High speed switching
Low saturation voltage : V
CE(sat)
= 2.2 V @ I
C
= 300A
High input impedance
Fast & soft anti-parallel FWD
Application
Boost (Step Up) converter
Internal Circuit Diagram
C1
E1/C2
E2
G2
E2
Package Code : 7PM-BB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier
FMBS5401 PNP General Purpose Amplifier
FMBS549 PNP Low Saturation Transistor
FMBS5551 NPN General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMBL1G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBL1G50US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMBL1G75US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMBM5401 功能描述:兩極晶體管 - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMBM5401_SB74001 功能描述:TRANSISTOR PNP 150V 600MA SSOT-6 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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