參數(shù)資料
型號： FMG1G100US60L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 663K
代理商： FMG1G100US60L
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G100US60L Rev. A
IGBT
F
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CM (1)
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
stg
V
iso
Mounting
Torque
Description
FMG1G100US60L
600
±
20
100
200
100
200
10
400
-40 to +150
-40 to +125
2500
2.0
2.0
Units
V
V
A
A
A
A
us
W
°
C
°
C
V
N.m
N.m
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Short Circuit Withstand Time
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage
Power Terminals Screw : M5
Mounting Screw : M5
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
@ T
C
= 100
°
C
@ T
C
= 25
°
C
@ AC 1minute
FMG1G100US60L
Molding Type Module
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power
modules provide low conduction and switching losses as
well as short circuit ruggedness. They are designed for
applications such as motor control, uninterrupted power
supplies (UPS) and general inverters where short circuit
ruggedness is a required feature.
Features
UL Certified No. E209204
Short Circuit rated 10us @ T
C
= 100
°
C, V
GE
= 15V
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE(sat)
= 2.2 V @ I
C
= 100A
High Input Impedance
Fast & Soft Anti-Parallel FWD
Application
AC & DC Motor Controls
General Purpose Inverters
Robotics
Servo Controls
UPS
Internal Circuit Diagram
C1
E1/C2
E2
G2
E2
Package Code : 7PM-GA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMG1G50US60 Molding Type Module
FMG1G50US60H Molding Type Module
FMG1G50US60L Molding Type Module
FMG1G75US60H Molding Type Module
FMG1G75US60L Molding Type Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMG1G150US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G150US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G200US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G200US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMG1G300US60H 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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