參數(shù)資料
型號： FMG1G100US60L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Molding Type Module
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 663K
代理商： FMG1G100US60L
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G100US60L Rev. A
F
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
200A
100A
I
C
= 50A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
200A
100A
I
C
= 50A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
20
40
60
80
100
120
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
= 100
℃
Power Dissipation = 130W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
200A
100A
I
C
= 50A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
2
4
6
8
0
30
60
90
120
150
180
210
240
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.3
1
10
20
0
50
100
150
200
250
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
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PDF描述
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FMG1G50US60H Molding Type Module
FMG1G50US60L Molding Type Module
FMG1G75US60H Molding Type Module
FMG1G75US60L Molding Type Module
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FMG1G150US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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FMG1G200US60L 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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