參數(shù)資料
型號： FMMT5179
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： FMMT5179
SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
ISSUE 3 - JANUARY 1996
FEATURES
*
High f
T
=900MHz Min
*
Max capacitance=1pF
*
Low noise 4.5dB
PARTMARKING DETAIL - 179
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
20
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
12
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
2.5
V
Continuous Collector Current
I
C
50
mA
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Collector-Emitter Sustaining
Voltage
V
CEO(SUS)
12
V
I
C
= 3mA, I
B
=0
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
20
V
I
C
= 1
μ
A, I
E
=0
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
2.5
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.02
1.0
μ
A
μ
A
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CB
=15V, I
E
=0, T
amb
=150°C
I
C
=3mA, V
CE
=1V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
250
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
0.4
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.0
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Transition Frequency
f
T
C
cb
h
fe
rbC
c
N
F
900
2000
MHz
I
C
=5mA, V
CE
=6V, f=100MHz
I
E
=0, V
CB
=10V, f=1MHz
I
C
=2mA, V
CE
=6V, f=1KHz
I
E
=2mA, V
CB
=6V, f=31.9MHz
I
C
=1.5mA, V
=6V
R
S
=50
, f=200MHz
I
=5mA, V
CE
=6V
f=200MHz
Collector-Base Capacitance
1
pF
Small Signal Current Gain
25
300
Collector Base Time Constant
3
14
ps
Noise Figure
4.5
dB
Common-Emitter Amplifier
Power Gain
Gpe
15
dB
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMT5179
C
B
E
SOT23
3 - 169
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PDF描述
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參數(shù)描述
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