型號(hào): | FMS6690MTC20X |
廠商: | Fairchild Semiconductor |
文件頁(yè)數(shù): | 1/11頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | IC VIDEO FILTER DRVR 6CH 20TSSOP |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
類型: | 視頻濾波器 |
應(yīng)用: | 錄音機(jī),機(jī)頂盒 |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 20-TSSOP |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: | 1214 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱: | FMS6690MTC20XDKR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
VE-BWM-IV-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W |
FMS6346MTC20X | IC DRIVER VIDEO FLTR 6CH 20TSSOP |
VE-BWM-IV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W |
MAX3223ECAP+ | IC TXRX RS232 250KBPS SD 20SSOP |
VE-BWM-IV-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
FMS6G10US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FMS6G10US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FMS6G15US60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FMS6G15US60S | 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FMS6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |