參數(shù)資料
型號(hào)： FMS6690MTC20X
廠商： Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC VIDEO FILTER DRVR 6CH 20TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 視頻濾波器
應(yīng)用： 錄音機(jī)，機(jī)頂盒
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-TSSOP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 1214 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： FMS6690MTC20XDKR
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FMS6690 Rev. 1.0.3
7
FM
S6690
—
Six
C
h
annel,
6
th
Order,
SD/PS/HD
Video
Filt
er
Driver
Typical Performance Characteristics
Unless otherwise noted TC=25°C, VIN=1VPP, VCC=5V, RSOURCE=37.5, inputs AC coupled with 0.1F, all outputs AC
coupled with 220F into150 loads.
Figure 9. SD Group Delay vs. Frequency
Figure 10. Noise vs. Frequency
Figure 11. PS Group Delay vs. Frequency
Figure 12. SD Differential Gain
Figure 13. HD Group Delay vs. Frequency
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VE-BWM-IV-F4 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
FMS6346MTC20X IC DRIVER VIDEO FLTR 6CH 20TSSOP
VE-BWM-IV-F3 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
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VE-BWM-IV-F1 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
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參數(shù)描述
FMS6G10US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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