參數(shù)資料
型號(hào)： FQB17P06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 10 FT, SNAGLESS, GRAY
中文描述： 17 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 614K
代理商： FQB17P06
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, January 2001
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
25
℃
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
※
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
175
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※
Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
※
Note : I
D
= 16.5A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
150
300
450
600
750
900
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB19N20C 200V N-Channel MOSFET
FQI19N20C 200V N-Channel MOSFET
FQB19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQI19N20L 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQB19N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB17P06TM 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB17P10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET
FQB17P10TM 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB19N10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET
FQB19N10L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*