型號: | FQB34N20 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET) |
中文描述: | 31 A, 200 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 2/9頁 |
文件大?。?/td> | 769K |
代理商: | FQB34N20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQB34P10 | 100V P-Channel MOSFET |
FQI34P10 | 100V P-Channel MOSFET |
FQI34N20 | 200V N-Channel MOSFET |
FQB3N25 | 250V N-Channel MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQB34N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQB34N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB34N20LTM_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB34N20TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB34N20TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |