參數(shù)資料
型號(hào)： FQB34P10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V P-Channel MOSFET
中文描述： 33.5 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 717K
代理商： FQB34P10
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B, June 2004
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
GS
V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
Note :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
Note : T
※
J
= 25
℃
V
GS
= - 20V
V
GS
= - 10V
R
D
]
D
-I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -50V
V
DS
= -80V
V
DS
= -20V
Note : I
※
D
= -33.5 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
25
℃
-55
℃
Notes :
※
1. V
= -40V
2. 250μs Pulse Test
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
-
D
-V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI34P10 100V P-Channel MOSFET
FQI34N20 200V N-Channel MOSFET
FQB3N25 250V N-Channel MOSFET
FQI3N25 250V N-Channel MOSFET
FQB3N30 300V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB34P10_13 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET MOSFET
FQB34P10TM 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB34P10TM_F085 功能描述:MOSFET -33.5A,-100V, P-ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB3N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQB3N25TM 功能描述:MOSFET N-CH/250V/2.8A/2.2OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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