參數資料
型號: FQB47P06
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V P-Channel MOSFET
中文描述: 47 A, 60 V, 0.026 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數: 7/9頁
文件大?。?/td> 718K
代理商: FQB47P06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2. May 2001
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相關PDF資料
PDF描述
FQI47P06 60V P-Channel MOSFET
FQB4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
FQB4N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET)
FQI4N20 200V N-Channel MOSFET
FQB4N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
FQB47P06TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB47P06TM"AM002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P
FQB47P06TM_AM002 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB47P06TM-AM002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FQB4N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET