參數(shù)資料
型號: FQB4N90
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 900V N-Channel MOSFET
中文描述: 4.2 A, 900 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 609K
代理商: FQB4N90
Rev. B, October 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
Dimensions in Millimeters
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
-PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI4N90 900V N-Channel MOSFET
FQB4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB4P40 400V P-Channel MOSFET
FQI4P40 400V P-Channel MOSFET
FQB50N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為60V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB4N90TM 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQB4P25TM 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4P40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET
FQB4P40TM 功能描述:MOSFET 400V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube