型號(hào): | FQB6N70 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | JFETs |
英文描述: | 700V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 6.2 A, 700 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | D2PAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 7/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 778K |
代理商: | FQB6N70 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQI6N70 | 700V N-Channel MOSFET |
FQB70N10 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FQI70N10 | CAP 180PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
FQB70N08 | 80V N-Channel MOSFET |
FQB7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQB6N70TM | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB6N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
FQB6N80TM | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQB6N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
FQB6N90TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |