參數(shù)資料
型號(hào): FQB6N70
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 700V N-Channel MOSFET
中文描述: 6.2 A, 700 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 778K
代理商: FQB6N70
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI6N70 700V N-Channel MOSFET
FQB70N10 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQI70N10 CAP 180PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
FQB70N08 80V N-Channel MOSFET
FQB7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB6N70TM 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB6N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQB6N80TM 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB6N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQB6N90TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube