參數(shù)資料
型號： FQB7N20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述： 6.6 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 691K
代理商： FQB7N20
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相關PDF資料
PDF描述
FQI7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強型MOSFET)
FQB7N30 300V N0Channel MOSFET
FQI7N30 300V N0Channel MOSFET
FQB7N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQI7N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB7N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB7N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N20TM 功能描述:MOSFET N-CH/200V/6.6A/0.69OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N0Channel MOSFET
FQB7N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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