參數(shù)資料
型號： FQB7N20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 6.6 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 691K
代理商： FQB7N20
#
"C!
(
H
!
"
#$%&
H
'(
')
'*
+$%
$+,%
-
.
%5+F50<5I++<<+*<F<+5:F%J<F%:<A5FII+F<+5<%K
9+IF<+<559+*<+<05%D505KI5+<5: %5+F50<%I<%K
05%D505K%+55:IF<%9905%5+I<%K9+I+5+I5<+5D<F<+<5L
<5F<+<5*<K%K05<<I<+59%<+5:F+F<+5:FF<+
%5+F50 9+I %+< %IF+5E< + I< % +55%0 9< 5 05< I99+
<*5< + K< A5FI F< <M9+< A+5< %99+*%0 %5+F50 <5I+
5<+%5%0
%N
/ 0!!
13 "
1"33
! " ""C
O
( %
!
"C
!!
"
"!#$
!%$%
#
%!5
!5
!
9
9
""
!
!
5
9
!
!
"
59
""
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB7N30 300V N0Channel MOSFET
FQI7N30 300V N0Channel MOSFET
FQB7N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI7N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB7N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB7N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N20TM 功能描述:MOSFET N-CH/200V/6.6A/0.69OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N0Channel MOSFET
FQB7N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*