- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375880 > FQB7N80 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 800V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQB7N80 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 800V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 6.6 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263 |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 802K |
| 代理商： | FQB7N80 |
QFET
! "
# !
! !
$ % %&'(()*
$ /01(2
$ /0,32
$
$ ,((4!
$ 5!!6"
+, -
.)
+,()
! "
!
!
!
"
"
)
)
'((
)
5
0
+7-82
% %
&
0
+,((82
1 7
&
5
9
7% 1
±
;(
&
)
:)
)
<
9&!<
-'(
=
5
&!
% %
&
<
*!&!<
,% >
=
!6
9*!!6
90
1 (
)6
9
+7-82@
; ,;
A
90
+7-82
,%>
A
"!7-8
, ;1
A68
*
--B,-(
8
C
,6' -
;((
8
*
θ
*
θ
*
θ
*=
( >-
8
A
*=&"@
1(
8
A
*=&"
%7 -
8
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI7N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQB7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQI7P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQB85N06 | 60V N-Channel MOSFET |
| FQB8N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQB7N80TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N80TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQB7N80TMAM002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| FQB7P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQB7P06TM | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。