參數(shù)資料
型號(hào)： FQB7N80
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 800V N-Channel MOSFET
中文描述： 6.6 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 802K
代理商： FQB7N80
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI7N80 800V N-Channel MOSFET
FQB7P20 200V P-Channel MOSFET
FQI7P20 200V P-Channel MOSFET
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FQB8N25 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FQB7N80TM_AM002 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB7N80TMAM002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
FQB7P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
FQB7P06TM 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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