參數(shù)資料
型號: FQD13N10L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 100V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述: 10 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 548K
代理商: FQD13N10L
F
Rev. A4, December 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
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0.50
±
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MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FQD13N10LTM 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD13N10LTM_NBEL001 功能描述:MOSFET 100V NCh Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FQD13N10TF 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube