參數(shù)資料
型號(hào)： FQD17N08L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 80V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述： 12.9 A, 80 V, 0.115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 555K
代理商： FQD17N08L
F
Rev. A2, December 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
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M
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MAX0.96
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(0.50)
(0.50)
DPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD17N08 GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 30 FT, NON BOOT, WHITE
FQU17N08 80V N-Channel MOSFET
FQD17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQU17P06 60V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-60V、漏電流為-12A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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FQD17N08LTM 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17N08TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17N08TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD17P06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P D-PAK
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