參數(shù)資料
型號： FQD20N06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel MOSFET
中文描述： 16.8 A, 60 V, 0.063 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 660K
代理商： FQD20N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
FQU20N06 60V N-Channel MOSFET
FQD24N08 80V N-Channel MOSFET
FQU24N08 80V N-Channel MOSFET
FQD24N08TF 80V N-Channel MOSFET
FQD26N03L 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FQD20N06_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQD20N06L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD20N06LE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD20N06LETF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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