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參數(shù)資料
| 型號： | FQD26N03L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 19 A, 30 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 785K |
| 代理商： | FQD26N03L |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU26N03L | 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
| FQD2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQU2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQU2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FQD26N03LTM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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