參數(shù)資料
型號(hào)： FQD26N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 19 A, 30 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： FQD26N03L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU26N03L 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流為19.0A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQD2N100 1000V N-Channel MOSFET
FQU2N100 1000V N-Channel MOSFET
FQD2N30 300V N-Channel MOSFET
FQU2N30 300V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD26N03LTF 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD26N03LTM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD-2F 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述:
FQD-2I 制造商:SR COMPONENTS 功能描述:
FQD-2N 制造商:SR Components Inc 功能描述:
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