- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375881 > FQD2N100 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 1000V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQD2N100 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1000V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 1.6 A, 1000 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 622K |
| 代理商： | FQD2N100 |
Rev. A, February 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
0
2
4
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 500V
V
DS
= 200V
V
DS
= 1000V
※
Note : I
D
= 1.6 A
V
G
,
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
600
700
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
25
℃
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current and
Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU2N100 | 1000V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQU2N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQD2N40 | 400V N-Channel MOSFET |
| FQU2N40 | 400V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD2N100TF | 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD2N100TM | 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD2N100TM_F101 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQD2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQD2N30TM | 功能描述:MOSFET N-CH/300V/1.66A/3.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。