參數(shù)資料
型號: FQD2N100
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 1000V N-Channel MOSFET
中文描述: 1.6 A, 1000 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 622K
代理商: FQD2N100
Rev. A, February 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimension
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
0
0
±
0
9
±
0
6
±
0
2
±
0
9
±
0
6
±
0
2
±
0
M
0.76
±
0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
D-PAK
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU2N100 1000V N-Channel MOSFET
FQD2N30 300V N-Channel MOSFET
FQU2N30 300V N-Channel MOSFET
FQD2N40 400V N-Channel MOSFET
FQU2N40 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD2N100TF 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N100TM 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD2N100TM_F101 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQD2N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQD2N30TM 功能描述:MOSFET N-CH/300V/1.66A/3.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube