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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU8N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD8N25 250V N-Channel MOSFET
FQU8P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V、漏電流為6.6A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQU9N08L 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQU9N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD7N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD7N20L_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD7N20LTF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Logic Level QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD7N20TF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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